《泰德兰电子》提供AOS美国万代功率MOSFET的型号选型及应用问题分析以及mojay茂捷的AC-DC,torex特瑞仕的DC-DC电源IC/霍尼韦尔(Honeywell)方案型号推荐---什么是MOS管四大选取法则mojay！MOS管该如何选取?

答：怎么选择MOS管是新手工程师们经常遇到的问题，了解了MOS管的选取法则，那么工程师们选择的时候就可以通过这些法则去选取所要的MOS管了，从而让整个电路工作能顺利进行下去mojay。不会因为MOS管的不合适而影响后面的各项工作和事宜。下面总结出如何正确选取MOS管的四大法则。

　　法则之一mojay：用N沟道orP沟道

　　选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

　　法则之二：确定MOS管的额定电流

　　该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。

　　法则之三：选择MOS管的下一步是系统的散热要求

　　须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。

　　法则之四：选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能

　　影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗（Eon）和关闭过程中的损耗（Eoff）。

　　以上就是选取MOS管时的四大法则，希望能够普帮助到大家，提高设计的效率。

MOS管和IGBT管的定义是什么？怎么辨别呢？

答：MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很，有时在选择、判断、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的识别方法为选择、判断、使用扫清障碍！

MOS管

MOS管即MOSFET，中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其特性，输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。

IGBT中文名绝缘栅双极型场效应晶体管，是MOS管与晶体三极管的组合，MOS是作为输入管，而晶体三极管作为输出管。于是三极管的功率做的挺大，因此两者组合后即得到了MOS管的优点又获得了晶体三极管的优点。

综上所述的两种晶体管，是目前电子设备使用频率很高的电子元器件，两者在外形及静态参数极其相似，某些电子产品是存在技术垄断，在电路中有时它们的型号是被擦掉的，截止目前，它们在命名标准及型号统又没有统一标准，而外型及管脚的排列相似，根本无规律可循，成为维修过程中的拦路虎，如何区分和判断成为必要手段。

MOS管和IGBT管的辨别

带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOMS管的识别

带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOMS管它们的栅极位置一样，IGBT管的C极位置跟MODS管的D极位置相对应，IGBT管的e极位置跟MODS管的S极位置相对应，对它们的好坏判断及及区分可以用动静态测量方法来完成。

静态测量判断MOS管和IGBT管的好坏

先将两个管子的管脚短路放掉静电，MOS管的D极与S极之间有个PN接，正向导通反向截止，于是有Rgd＝Rgs＝Rds＝无穷大，Rsd＝几千欧。IGBT管的G极到c、e极的电阻应为无穷大，即Rgc＝Rge＝无穷大，而IGBT管的之间有阻尼二极管的存在，因此具有单向导电反向截止特性，即Rce＝无穷大，Rec＝几千欧。从这里只能用万用表的电阻档判断出管子的好坏，却区分不出是那种管子。测量得阻值很小，则说明管子被击穿，测量阻值很大，说明管子内部断路。

动态测量区分MOS管和IGBT管

先用万用表给管子的栅极施加电压，是场效应管建立起沟道，然后测量D、S及c、e之间的阻值，根据阻值的差异来区分MOS管和IGBT管。

用万用表的电阻档测量两个管子的D、S及c、e之间的电阻，由于场效应管已经建立沟道，Rds＝Rsd≈0，而Rce之间呈现电阻Rce，晶体三极管处于放大状态的导通电阻，Rec为内部阻尼二极管的导通电阻，两者均为几千欧。因此根据测量可知，两个管子的导通程度不一样，MOS管的D、S之间电阻值是远小于IGBT管c、e之间的电阻值，于是可以分辨出MOS与IGBT管。